合肥长鑫存储和武汉长江存储

合肥长鑫存储和武汉长江存储

简单来说，

合肥长鑫存储做的是ram和H B M就是内存。

武汉长江存储做的是nand 就是硬盘，

合肥长鑫的制造工艺可能会更难一点
但是当你运行一个软件的时候C P U就会把数据从net里面请出来，暂时注到这个合肥长兴存储的d ram内存里面为什么呢？因为内存d ram的速度是硬盘net的一百到一千倍C P U没法等慢吞吞的硬盘。啊，长兴的另外一个产品A H D M更是重量级的。它是A I算力的核心是离G P U最近的超高速缓存区。第二个，哪个的制造工艺更难都非常难啊，都是纳米级的一根头发丝的直径是几万纳米啊，但难的方向是不一样的。
武汉长江存储的net好比是在地里面盖摩天大楼，它是在一块硅片上面，一层一层打印出来，几百层的这个存储单元，它的难点是化学精度，每一层薄膜的厚度，打孔的垂直井都要控制在几十纳米以内，这主要是依赖顶尖的，可是和沉积设备

合为常新的d ram是在原子级别上面搞平面雕刻，它好比是在头发丝细无数倍的平面上面，雕刻几百亿个完美的晶体管和电容，这还不够

最难的产品是H B M它是把盖好的楼再叠起来。你想象一下，把做好的几层的d ram的芯片，用镊子一层一层的叠在一起，然后每层对齐还不到一微米，然后从底部到顶打穿几千根，比头发丝还要细十倍的电梯井。
这个就是T S V硅铜孔，再精确的填满铜，只要一根电梯井堵了，歪了漏电了。这整个的H B M芯片全部就报废了。

所以结论很清楚，nand的难度主要是由设备来主导.

而 d ram和H B M的难度是材料设计、制造、封装全链路的超高要求。

所以 合肥长兴的制造工艺可能会更难一点。

第三个，从国家战略来上来讲的话，

d ram和H B M是A I算力超级计算中心和网络核心设备的大佬，它直接决定了高端算力的上限。、

nad是数据仓库也很重要，但它不直接参与这个运算。
而在这一轮的全球A I算力的竞争当中，H B M是卡脖子的核心。所以结论是合肥长兴的战略意义可能也会更直接更关键一些。

第四点，哪个的市场空间更大，从市场规模上来讲，

dram 是红色的圆圈，nand 是黄色的源圈。数据上看，二零二五年的展望d rem是一千两百九十亿美金啊，net是六百五十亿美金H B M预计到二零二五年将达到三百九十亿美金，预计到二零三零年将达到九百八十亿美金。

还有个问题就是最新的内存打架非常厉害。
主要其实就是因为A I驱动下的存储行业共需失衡加剧

A I相关应用占了d ram市场规模的百分之五十三。

摩根大众说，预计将开启持续数年的超级周期，到二零二七年，全球存储市场规模有望达到三千亿美金存储芯片的行业，或将迎来新的一轮产业周期的起点。